[8p-P04-1~9] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[8p-P04-1] GaNAs量子井戸とトンネル結合したInGaAs量子ドットの円偏光発光特性に対する電子の結合エネルギー準位の影響

〇鈴木 悠馬¹、木瀬 寛都²、森田 彩乃²、高山 純一²、村山 明宏²、樋浦 諭志² (1.北大工、2.北大院情報科学)

キーワード：

量子ドット、希薄窒化物半導体、フォトルミネッセンス