講演情報
[8p-P04-5]CaF2埋め込み構造を用いたn型Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
〇小林 隆弘1、宇佐見 遼也1、村上 寛太1、服部 堅1、渡辺 正裕1 (1.東京科学大電気電子系)
キーワード：
半導体、共鳴トンネルダイオード
Si/CaF2ヘテロ構造は，結晶構造が類似で格子定数が近いため，Si基板上に積層エピタキシャル成長が可能である．先行研究ではこれを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)の室温動作実証が報告されてきた．今回，n型RTDではじめて結晶性CaF2埋め込み構造を採用し，あわせて，RTD側壁のCaF2上のSi歪補償層のエッチングプロセスの改善を行った．その結果，n型RTD構造ではじめて，室温でNDRの繰り返し特性を安定的に観測したので報告する．