[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-10] Si基板上へのSnOスパッタ成膜：Si結晶方位依存性

〇(M1C)辛 佳和¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

一酸化スズ、p型酸化物半導体、層状構造