[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-11] p型アモルファスTaSnO_x薄膜の製作に向けた積層膜のアニール処理

〇(M1C)辛 佳和¹、高橋 司¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

一酸化スズ、p型酸化物半導体、アモルファス TaSnOx