[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-21] 合成石英基板上ZnO薄膜の高温アニールによる構造変化

〇前島 圭剛¹、小湊 一颯¹ (1.鹿児島大院理工)

キーワード：

酸化亜鉛、合成石英

酸化亜鉛の高温成膜において、基板との反応が品質の低下につながる可能性がある。本研究では、合成石英(SiO₂)基板に注目し、ZnO/SiO₂を高温でアニールすることにより、どのような膜の変化が起こるかを評価した。