講演情報
[8p-P10-22]異なる面方位のβ-Ga2O3およびガラス表面におけるNiOの成長
〇(M1)立石 廉1、岡田 有史1 (1.京工繊工芸)
キーワード：
半導体、β酸化ガリウム、結晶成長
本研究ではミストCVD法によってガラスおよび異なる方位のβ-Ga2O3基板上にNiO薄膜を作製した。試料はAFMを用いて観察し、XRDで結晶性を評価した。試料の電子構造はUV-vis分光およびXPSを用いて測定した。ガラス基板、β-Ga2O3(-201)、(001)のそれぞれにおいて、生成物は異なる形状となった。これらのモルフォロジーはXRDパターンと矛盾していなかった。