[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-23] Li添加NiO薄膜のスパッタ成膜時の初期結晶状態とアニール温度が電気・光学的特性に与える影響

〇服部 汰星¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)

キーワード：

NiO、正孔輸送層、ペロブスカイト

本研究では、RFリアクティブマグネトロンスパッタ法を用いてNiO:Li薄膜の堆積を行い、NiO:Li薄膜の初期結晶状態とその薄膜に対するアニールが電気・光学的特性へ与える影響の検討を行った。