[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-28] エッチバックにより10nm以下に薄膜化したSnSO₄の特性評価

〇(M2)守屋 賢人¹、永縄 創吉¹、工藤 幸寛¹、高橋 泰樹¹、山口 智広¹、相川 慎也¹ (1.工学院大)

キーワード：

p型透明半導体、硫酸化物