講演情報
[8p-P10-3]静電スプレー法における堆積条件がNiOの結晶成長に与える影響
〇柴田 圭亮1、田中 哉多1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)
キーワード：
酸化ニッケル、ウェットプロセス、正孔輸送層
静電スプレー法(ESD)はノズル-基板間に高電圧を印加することで、溶液をスプレー状にして基板上に堆積するプロセスである。ESDを用いて堆積したNiO薄膜の諸特性を理解する上では、結晶成長メカニズムの解明が重要となる。しかし、ESDにおけるNiOの結晶成長メカニズムは未解明である。そこで本研究では、ノズル-基板間距離、印加電圧、基板表面温度といった堆積条件がNiOの結晶成長に与える影響を検討した。