講演情報
[8p-P10-32]Ga-In電極を用いたNiO/β-Ga2O3の物性評価
〇(M2)西 悠登1、岡田 有史1 (1.京工繊大工芸)
キーワード：
半導体、酸化ガリウム、電流電圧特性
本研究ではゾルゲル法によってNiO/β-Ga2O3を作製した。電極にはGa-Inを用いた。NiO成長前の基板において、In 26.5 wt%のときにI-Vは線形となり、オーミック接触となっていることが示唆された。NiO作製後の基板表面は粒子で覆われており、Ga-Inの濡れ性が低下した。この試料は整流特性を示していたが、測定ごとの抵抗のばらつきが大きく、濡れ性低下の影響が出ているものと考えられる。