[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-39] Zn+N共添加ZnO膜の特性における真空アニール時間依存性

〇大森 陽生¹、ハク アブラウル¹、山田 祐美加^1,2、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大学、2.(株)コベルコ科研)

キーワード：

酸化亜鉛、アニール、p型

pn接合デバイスに用いられているITOの代替材料としてZnOが注目されている。しかし、ZnOにアクセプターを添加しても、ドナー性欠陥が生成されるため、p型ZnOの作製は困難である。一方、p型ZnOの作製法としてアクセプターとドナーを共添加する同時ドーピング法が提案されている。本研究では、同時ドーピング法で作成したZn+N共添加ZnO膜に真空アニール処理を施し、特性がどのように変化するのか調査した。