[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-4] 静電スプレー法における組成制御がInGaZnO₄薄膜に与える影響

〇丸山 大貴¹、⽥中 哉多¹、杉⼭ 睦^1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)

キーワード：

InGaZnO、静電スプレー法、太陽電池

本研究では、ESD を用いた α-InGaZnO₄薄膜の形成および組成制御によるバンド構造への影響について検討を行った。