[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-42] 酸化アニール処理がアモルファスp型TeO_X薄膜トランジスタに及ぼす影響

〇石井 和歩¹、辛 佳和¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

アモルファスp型酸化物半導体、薄膜トランジスタ、アニール