[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-43] ITO電極を用いたSiO_x ReRAMにおけるエレクトロフォーミングの影響

〇(M1C)牧島 唯斗¹、守屋 賢人¹、相川 慎也¹ (1.工学院大)

キーワード：

半導体、不揮発性メモリ、抵抗変化メモリ