講演情報
[8p-P10-44]RFパワーおよび成膜圧力がHfO₂薄膜の結晶性およびリーク電流特性に与える影響
〇篠田 太陽1、河西 秀典1,2、木村 睦1 (1.龍谷大院先理、2.革材プロ研センター)
キーワード：
強誘電体
本研究では、RFマグネトロンスパッタ法によるHfO2膜の成膜条件最適化を行った。成膜圧力とRFパワーを系統的に変化させて成膜を行い、結晶性・リーク電流特性を評価した。SEMおよびXRDの結果より、RFパワーが高いほど結晶性が向上し、連続膜が得られることが明らかとなった。また、J–V測定により、最適条件下ではリーク電流密度が4 nA/cm²以下に抑制された。