[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-49] フレキシブル基板上に作製したNiO系可視光透過型薄膜トランジスタに非加熱でのポストプロセスが与える影響

〇松林 芳樹¹、服部 汰星¹、小出 祐菜¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)

キーワード：

NiO、薄膜トランジスタ、フレキシブル

本研究ではNiO系フレキシブルTTFTの実現に向け、UV処理および水素イオン注入等のポストプロセスがNiO系TTFTの電気特性等に与える影響を検討した。