[8p-P10-1~49] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[8p-P10-5] 大気圧高温下で均質膜を作製することの出来るミストCVD装置の開発

〇川原村 敏幸¹、小松 正彦¹、安岡 龍哉¹、ワイ ス テッ¹、モンダル アバイ クマール¹、大橋 亮介¹、岡田 達樹¹、佐藤 裕也²、大久保 博² (1.高知工大、2.東洋炭素(株))

キーワード：

ミストCVD、炭素材反応炉、大気圧高温下