講演情報
[8p-P11-9]パーシステントホモロジーで可視化するイオンビーム照射による半導体微細構造のプロセスインフォマティクス
〇走出 和寛1、宮田 澪1、新田 紀子1、大石 脩人2、大林 一平3 (1.高知工大、2.高知高専、3.岡山大)
キーワード：
半導体、パーシステントホモロジー、イオンビーム
近年、材料開発における製造プロセス最適化を行うために、データ解析と情報科学を駆使するプロセスインフォマティクスが急速に発展している。本研究では、半導体材料にイオンビームを照射した際に形成される微細構造をパーシステントホモロジーを用いて解析を行い、照射条件との関連を明らかにした。