[9a-N105-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[9a-N105-3] InGaZn₂O₅バルク単結晶の硬X線光電子分光

〇小林 愛結^1,2、山岸 稜也²、澤田 晏伯²、石垣 賢卯^1,2、河村 優介¹、漆間 由都¹、井上 禎人¹、平井 萌々香²、加瀬 直樹^1,2、保井 晃³、唐 佳藝³、宮川 宣明^1,2、齋藤 智彦^1,2 (1.東理大理、2.東理大先進工、3.JASRI)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、光電子分光

IGZOは透明導電性酸化物として注目されており、その電子構造は酸素欠陥に強く依存する。本研究では、空間群の異なるIGZO-12単結晶に対し、硬X線光電子分光を用いて酸素欠陥の分布と電子構造への影響を解析した。IGZO-11,13との比較により、欠陥分布の起源解明を試みる。