[9a-N107-1~11] 6.4 薄膜新材料

9:30 〜 9:45

[9a-N107-3] 室温におけるFeSi₂添加Cu₂Se薄膜の熱電特性

〇後藤 真宏¹、佐々木 道子¹、諸永 拓¹、原 徹¹、徐 一斌¹ (1.物材機構)

キーワード：

熱電材料、スパッタ、薄膜

低熱伝導率を有する超イオン伝導体Cu₂SeにFeSi₂をドープした新規熱電材料を作製した。コンビナトリアルスパッタコーティングシステムにより組成・ナノ構造を最適化することで、298 KでzT値0.69という、従来のCu₂Se系材料を超える値が得られた。これは、ナノ構造化によるパワーファクターの向上と熱伝導率の制御に起因し、複数のCu_xSe結晶相と均一に分散したSiとFeの酸化物相の存在によるものである。この結果は、FeSi₂添加Cu₂Se薄膜が質問近傍における効率的な廃熱回収に大きな可能性を有することを示している。