[9a-N107-1~11] 6.4 薄膜新材料

10:45 〜 11:00

[9a-N107-7] [分科内招待講演] 原子層堆積法によるGeO₂層形成およびGeSnの表面パッシベーション

〇加藤 芳規¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,2、柴山 茂久¹ (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

原子層堆積法、GeSn、パッシベーション