講演情報
[9a-N201-3]多能性®中間膜を用いた圧電材料のエピタキシャル成長と圧電デバイス評価
〇關 雅志1、神田 健介2、木島 健1、木村 勲1、中尾 健人1 (1.株式会社Gaianixx、2.兵庫県立大学)
キーワード：
エピタキシャル成⻑、単結晶薄膜
多能性中間膜による動的格子マッチングは、多様な材料のエピタキシャル成長を可能にする技術であり、従来困難とされてきた多層での高品質単結晶化を実現した。Pb(Zr,Ti)O3（PZT）薄膜の単結晶化を行い、従来の多結晶膜と比較して極めて高い性能を持つことを確認した。
圧電材料は電気機械変換が可能であり、自動車、電子機器、半導体、生物医学など幅広い分野においてMEMSを中心とした圧電デバイスの需要が急増しており、市場の大幅成長が予想されている。本報告では、圧電MEMS市場で注目されている、測距、距離画像、メディカルなどの幅広い応用を持つ圧電MEMS超音波トランスデューサ（pMUT）を単結晶PZT薄膜で試作し、優位性を実証した結果と、将来的なPZTのRoHS指令適用を見据え、非鉛材料である単結晶BiTiO3（BTO）薄膜の特性を報告する。
圧電材料は電気機械変換が可能であり、自動車、電子機器、半導体、生物医学など幅広い分野においてMEMSを中心とした圧電デバイスの需要が急増しており、市場の大幅成長が予想されている。本報告では、圧電MEMS市場で注目されている、測距、距離画像、メディカルなどの幅広い応用を持つ圧電MEMS超音波トランスデューサ（pMUT）を単結晶PZT薄膜で試作し、優位性を実証した結果と、将来的なPZTのRoHS指令適用を見据え、非鉛材料である単結晶BiTiO3（BTO）薄膜の特性を報告する。