セッション詳細
[9a-N206-1~11]15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶
2025年9月9日(火) 9:30 〜 12:15
N206 (共通講義棟北)
[9a-N206-1]電圧制御によるSi薄膜負極の特性向上
〇江藤 葉1、野沢 公暉1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大)
[9a-N206-2]トポケミカル反応により形成したメチル化ゲルマナン薄膜のフォトルミネッセンス特性
〇中山 敦稀1、中嶋 海都1、洗平 昌晃1,2、柴山 茂久1、坂下 満男1、佐々木 拓也1、丹羽 健1,3、長谷川 正1,3、中塚 理1,2、黒澤 昌志1 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大RCCME)
[9a-N206-3]Optical Resonant Modes in Tensile-Strained Ge Microdisks Fabricated via Laser-Induced Liquid-Phase Crystallization
〇(M1)Liji Zhan1, Tianping Li1, Yuta Hayakawa2, Takuma Kobayashi2, Heiji Watanabe2, Takayoshi Shimura1,2 (1.Waseda Univ., 2.UOsaka)
[9a-N206-4]Ge-on-SOI を用いた横方向LEDの作製と評価
〇石川 陸1、井上 貴裕1、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学)
[9a-N206-5]GOI(111)上の歪みSiGe/Ge量子井戸LEDからの室温EL発光の観測
〇菊岡 柊也1、相川 茉由1、横木 亮河1、永嶋 野乃香1、大木 健司2、浜屋 宏平2,3,4、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学、2.阪大基礎工、3.阪大基礎工CSRN、4.阪大OTRIスピン)
[9a-N206-6]Si0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3積層構造のCF4/H2プラズマエッチングにより形成したSiナノシートの欠陥評価
〇尾崎 孝太朗1、今井 祐輔1、今井 友貴1、堤 隆嘉2、石川 健治2、山本 裕司1,3、Wen Wei-Chen3、牧原 克典1,3 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.IHP)
[9a-N206-7]Broadband and Highly Responsive n-Ge Schottky Photodetectors with Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide Electrodes
〇Rahmat Hadi Saputro1, Tomo Tanaka2, Hiroyuki Ishii1, Tatsuro Maeda1 (1.AIST, 2.NEC Corp.)
[9a-N206-8]PN接合型GeSn赤外線検出器の室温動作実証
〇田中 朋1、石井 裕之2、Saputro Rahmat Hadi2、柴山 茂久3、黒澤 昌志3、中塚 理3、前田 辰郎2 (1.日本電気、2.産総研、3.名大)
[9a-N206-9]フレキシブル多接合太陽電池に向けた赤外吸収Ge層の合成
〇前田 真太郎1,2、石山 隆光1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学、2.学振特別研究員)
[9a-N206-10]歪みSi0.15Ge0.85を用いた横型スピン伝導素子の作製と評価
〇鹿嶽 亘平1、大木 健司1、藤井 竣平1、大日方 初良1,2、宇佐見 喬政2,3、菊岡 柊也4、澤野 憲太郎4、浜屋 宏平1,2,3 (1.阪大基礎工、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大OTRIスピン、4.都市大総研)
[9a-N206-11]縦型Co2MnSi/n-Ge/Co2MnSi構造の作製と室温スピン信号の観測
〇綿引 詩門1、大日方 初良1,2、山田 晋也1,2,3、菊岡 柊也4、山田 道洋4、澤野 憲太郎4、浜屋 宏平1,2,3 (1.阪大基礎工、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大OTRIスピン、4.都市大総研)