[9a-N301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45

[9a-N301-3] PEMスタンプ加工により作製したSiCパターン基板上への RF-MBE GaN成長

〇大久保 佳輝¹、太田 篤志¹、中本 トラン²、藤井 高志³、村田 順二¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研)

キーワード：

PEMスタンプ加工、選択横方向成長