[9a-N301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:45 〜 10:00

[9a-N301-4] InN/GaN(0001)界面における界面1原子層での格子不整合緩和

長瀬 知輝¹、長川 健太¹、狩野 絵美¹、福田 圭祐¹、白石 賢二¹、押山 淳¹、荒木 努²、〇五十嵐 信行¹ (1.名大、2.立命館大)

キーワード：

窒化物半導体、界面構造、窒化インジウム

InN/GaN界面(11.1%不整合)の原子配列と格子不整緩和機構を、原子分解能電子顕微鏡法と大規模密密度汎関数計算を用いて明らかにした。得られた界面構造は、界面の第一InN原子層の原子配列が変化し、この変化によってmisfit dislocationを作ることなく、InNとGaNをつなぐ原子間結合のネットワークが形成されることを示している。