講演情報
[9a-N302-11]結晶と融液の透明度がOCCC法におけるGa2O3単結晶成長時の
炉内温度分布に与える影響
〇柿本 浩一1、富田 健稔2、Vladimir Kochurikhin2、北原 正典2、鎌田 圭1,2、中野 智3、姚 永昭4、赤岩 和明5、吉川 彰1,2 (1.東北大金研、2.㈱C & A、3.九大 応力研、4.三重大、5.鳥取大)
キーワード：
半導体、Ga2O3、シミュレーション
パワーデバイス用結晶の候補の一つとして注目を浴びているGa2O3酸化物単結晶は、不純物濃度の大小により結晶、融液の透明度が変化するため、結晶成長プロセスが進むにしたがってツイスト等の発生という問題が生じている。本報告では、OCCC法を用いて結晶と融液の透明度を考慮したGa2O3単結晶成長中の結晶育成炉内の温度、流動解析を行った。