[9a-N302-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

10:45 〜 11:00

[9a-N302-7] CH₂F⁺注入シリコンエピタキシャルウェーハのフッ素拡散挙動

〇廣瀬 諒¹、門野 武¹、小林 弘治¹、永友 翔¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：

シリコンウェーハ、ゲッタリング、イオン注入