[9a-N302-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

11:00 〜 11:15

[9a-N302-8] パワーデバイス用CZ-Si結晶のSb蒸発による抵抗制御技術の開発

〇宝来 正隆^2,3、鳴嶋 康人¹、藤原 俊幸²、杉村 渉²、下山 学²、小野 敏昭²、柿本 浩一³、西澤 伸一³ (1.SUMCO TECHXIV、2.SUMCO、3.九大応力研)

キーワード：

SbドープCZ-Si結晶、Sb 蒸発、パワーデバイス

CZ炉の炉内圧力、Ar流量および輻射遮蔽体下端と融液表面とのGapを操作パラメータとして、実験計画法に基づいてSbドープCZ-Si結晶の引上げ実験を実施した。Sbの蒸発係数は融液表面でのAr流速に対して線形比例することから、Sbの蒸発速度は融液中のSb濃度およびAr流速によって操作可能である。従って、SbドープCZ-Si結晶の成長方向での抵抗率は融液中の初期Sb濃度およびArガス流速によって平坦に制御可能であることが分かった。