講演情報
[9a-N302-9]CZ-Si結晶成長におけるドーパント蒸発による抵抗率制御
〇八明 択実1、齋藤 渉2、西澤 伸一2 (1.九大総合理工、2.九大応力研)
キーワード：
結晶成長、チョクラルスキー法、偏析
Czochralski（CZ）法によるシリコン単結晶成長において、リン(P)およびアンチモン(Sb)は偏析により結晶成長軸方向の不純物濃度が増加し、結晶の抵抗率に大きく影響する。そこで本研究では、アルゴン(Ar)ガスの流量および圧力を制御することで、ドーパントの蒸発を促進し、偏析を抑制する手法を検討した。その結果、PとSbで蒸発挙動に違いが見られ、特にSbは流量・圧力変化の影響を受けやすいことが明らかとなった。以上より、低濃度ドーピング条件下において、結晶中の抵抗率を一定に保つ結晶成長が可能であることが示唆された。