[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:30 〜 11:45

[9a-N305-10] 多結晶InGaAs薄膜の固相成長によるキャリア移動度の向上

〇(M1)清野 碩¹、野沢 公暉¹、Seo Jisol¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大院)

キーワード：

半導体、結晶成長

本研究では、薄膜トランジスタ応用に向けて多結晶InGaAs薄膜のキャリア移動度向上を目的とし、堆積温度T_dおよびAs組成比R_InGa/Asの制御による固相成長（SPC）法を適用した。T_dとR_InGa/Asが低い条件で非晶質前駆体を得て、高温でのSPCにより結晶化を促進し、電子移動度μ_nを最大830 cm² V^-1 s^-1まで向上させた。前駆体状態と熱処理条件の最適化がμ_n向上に重要であることを示した。