[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-N305-2] 希薄窒化GaNAs多重量子井戸における円偏光発光特性の窒素組成依存性

〇木瀬 寛都¹、峰久 恵輔²、高山 純一¹、村山 明宏¹、石川 史太郎²、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)

キーワード：

電子スピン偏極、フォトルミネッセンス、希薄窒化物

我々は価電子帯の準位分裂によって電子スピンの向きに対して反転した極性の円偏光発光が得られる希薄窒化GaNAsの円偏光発光特性について調べた。試料としてGaNAsとGaAsを用いた多重量子井戸構造を作製し、円偏光フォトルミネッセンス測定を実施したところ、窒素組成の異なる試料間で窒素組成に応じた発光強度の減少や、発光波長の長波長化および円偏光極性の反転が見られた。