[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:30 〜 9:45

[9a-N305-3] 低温成長した希薄窒化InGaAsN/GaAs量子井戸の円偏光発光特性

〇多川 英汰¹、峰久 恵輔²、森田 彩乃¹、木瀬 寛都¹、高山 純一¹、石川 史太郎²、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)

キーワード：

希薄窒化物半導体、フォトルミネッセンス、電子スピン偏極