[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:00 〜 10:15

[9a-N305-5] 窒素導入量を変化させた窒素δドープGaAsナノワイヤの分子線エピタキシャル成長と光学特性評価

〇佐野 真浩^1,2、峰久 恵輔^1,2、橋本 英季^1,2、石川 史太郎² (1.北大情科院、2.北大量集セ)

キーワード：

分子線エピタキシー、ナノワイヤ、デルタドーピング