講演情報
[9a-N305-6]有機金属気相成長法で作製したInAs基板上InAs/GaAsSb超格子の光学的特性の評価
〇山元 康平1、鈴木 秀俊1、荒井 昌和1、藤澤 剛2、前田 幸治1 (1.宮崎大工、2.法政大理工)
キーワード：
超格子
中赤外領域には分子振動によるガスの吸収線が存在し、この波長域を選択的に検出する発光・受光素子の開発されている。層厚の調整により発光波長を制御できるInAs/GaSbタイプⅡ超格子構造が注目されているが、格子定数の差により層厚制御が困難である。そこで本研究では、MOVPEによりAsを8.2％含むGaAsSbを用いることでInAsと格子整合したInAs/GaAsSb超格子を作製し、欠陥低減を図った。PL法をもとにラマン分光法、XRDを用いて結晶性と発光強度の関係を調べた。