[9a-N305-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:00 〜 11:15

[9a-N305-8] Lateral Aspect Ratio Trapping法により形成したInPマイクロテンプレート上選択MOVPE成長薄膜の構造欠陥解析

〇本間 寛弥¹、杉山 弘樹¹、開 達郎¹、佐藤 具就¹、松尾 慎治¹ (1.NTT 先デ研)

キーワード：

Si上III-V族半導体成長、選択成長、MOVPE/MOCVD

我々は、lateral aspect ratio trapping法により形成したInPマイクロテンプレート(MT)上にIII-V族半導体を選択再成長し、SOI 基板上に光デバイスを集積する技術を開発しているが、本手法では、MT成長時に積層欠陥や回転双晶などの面欠陥が容易に形成されることが最近指摘されている。今回、これらの面欠陥がMT上の選択再成長層の結晶構造に与える影響を調べたので報告する。