セッション詳細

[9a-N322-1~8]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年9月9日(火) 10:00 〜 12:00
N322 (共通講義棟北)

[9a-N322-1]InP-HEMT ICの配線工程におけるデバイス特性劣化機構の考察

〇佐々木 太郎1、杉山 弘樹1、吉屋 佑樹1、星 拓也1、宮本 恭幸2、中島 史人1 (1.NTT先デ研、2.東京科学大)

[9a-N322-2]薄膜ベース層を用いたAlGaN/GaN HBTの作製

〇小久保 翔太1、田中 敦之2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大IAR)

[9a-N322-3]半絶縁性 GaN 基板に Si イオン注入を用いて作製した GaN 光伝導型スイッチの動作実証

〇李 晉維1、磯 憲司2、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大工、2.三菱ケミカル)

[9a-N322-4]低ドーズSi, Al, Nイオン注入GaNのルミネッセンス評価

〇嶋 紘平1、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3、石橋 章司4、上殿 明良5、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.名大工、3.名大IMaSS、4.筑波大CCS、5.筑波大数物系)

[9a-N322-5]OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの大気圧活性化におけるAlN中間層
挿入の効果

〇宇佐美 茂佳1、伊藤 佑太2、横井 創吾1、田中 敦之3、滝野 淳一4、隅 智亮4、今西 正幸1、横山 正史5、秦 雅彦6、岡山 芳央4、本田 善央3、天野 浩3、森 勇介1 (1.阪大院工、2.名大院工、3.名大未来研、4.パナソニックホールディングス(株)、5.住友化学(株)、6.伊藤忠プラスチックス(株))

[9a-N322-6]ダイヤモンドライクカーボン膜を用いたイオン注入GaNに対するパルスレーザアニールの一次元非定常熱伝導シミュレーション

〇大野 峻太郎1、杉本 麻水1、西垣 有紘1、南 柚香2、島崎 好広2、新井 裕子2、寅丸 雅光2、神 好人2、冨田 一義3、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大理工、2.日本製鋼所、3.名大IMaSS)

[9a-N322-7]パルスレーザアニールしたMgイオン注入GaNの低温PL評価

〇杉本 麻水1、大野 峻太郎1、西垣 有紘1、南 柚香2、寅丸 雅光2、新井 裕子2、島崎 好広2、神 好人2、冨田 一義3、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大理工、2.日本製鋼所、3.名大IMaSS)

[9a-N322-8]パルスレーザアニールしたSiイオン注入GaNの電気特性評価

〇(M2)西垣 有紘1、廣田 晴大1、大野 峻太郎1、杉本 麻水1、新井 裕子2、南 柚香2、島崎 好広2、寅丸 雅光2、神 好人2、冨田 一義3、上殿 明良4、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大学、2.日本製鋼所、3.名大IMaSS、4.筑波大数物)