[9a-N322-1~8] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:15 〜 10:30

[9a-N322-2] 薄膜ベース層を用いたAlGaN/GaN HBTの作製

〇小久保 翔太¹、田中 敦之²、本田 善央^2,3,4、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大IAR)

キーワード：

窒化ガリウム、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

本研究は、次世代高周波デバイスとして有望なAlGaN/GaN HBTの性能向上を目的としています。従来の課題であった低い電流増幅率 (β = 21) を改善するため、p-GaNベース層の膜厚をシミュレーションにより最適化しました。MOVPE法でHBTを作製し評価した結果、最大電流増幅率100という従来値を大幅に上回る値を達成しました。また、高いアーリー電圧 (V_A = 172 V) も確認され、出力の優れた線形性が実証されました。