講演情報
[9a-N322-3]半絶縁性 GaN 基板に Si イオン注入を用いて作製した GaN 光伝導型スイッチの動作実証
〇李 晉維1、磯 憲司2、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大工、2.三菱ケミカル)
キーワード：
窒化ガリウム、半導体光伝導型スイッチ、パワーデバイス
変動の大きい再生エネルギーの利用に向け、中高耐圧（5–50 kV）電力変換技術の研究が進んでいるが、パワーモジュールの多用により回路が複雑化し、EMIが課題となっている。半導体光伝導型スイッチ（PCSS）は高耐圧化が容易で、光駆動により高速かつEMI耐性の高い動作が可能である。本研究では半絶縁性GaN自立基板にSiイオン注入を行い、GaN PCSSを作製し、その光応答特性と絶縁破壊特性を評価した。