[9a-N322-1~8] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45

[9a-N322-7] パルスレーザアニールしたMgイオン注入GaNの低温PL評価

〇杉本 麻水¹、大野 峻太郎¹、西垣 有紘¹、南 柚香²、寅丸 雅光²、新井 裕子²、島崎 好広²、神 好人²、冨田 一義³、今井 大地¹、宮嶋 孝夫¹ (1.名城大理工、2.日本製鋼所、3.名大IMaSS)

キーワード：

パルスレーザアニール、窒化ガリウム、フォトルミネッセンス