[9a-N322-1~8] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:45 〜 12:00

[9a-N322-8] パルスレーザアニールしたSiイオン注入GaNの電気特性評価

〇(M2)西垣 有紘¹、廣田 晴大¹、大野 峻太郎¹、杉本 麻水¹、新井 裕子²、南 柚香²、島崎 好広²、寅丸 雅光²、神 好人²、冨田 一義³、上殿 明良⁴、今井 大地¹、宮嶋 孝夫¹ (1.名城大学、2.日本製鋼所、3.名大IMaSS、4.筑波大数物)

キーワード：

電子デバイス、窒化ガリウム、パルスレーザ