[9a-N401-1~11] CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

11:30 〜 11:45

[9a-N401-10] XPS Si 2pスペクトルと電気特性の相関から推定されるPECVD-SiO₂/Siの成長様式と界面準位低減の要因

〇武田 さくら¹、Emilia Hashamova²、長谷川 菜¹、上沼 睦典³、宮尾 知幸¹、小野 直亮¹、浦岡 行治¹、船津 公人¹ (1.奈良先端大、2.カールスルーエ工科大、3.産総研)

キーワード：

PECVD、SiO2、XPS

様々なプロセスパラメータで作製されたTEOS-PECVD-SiO₂/Si(001)について、Si 2p XPSスペクトルのSiO₂膜厚依存性を測定し、界面準位密度D_itとの相関を調べた。XPSの結果は界面近傍での負電荷蓄積を示し、その量がD_itと正の相関を示した。得られた結果から、PECVD-SiO₂/Si(001)の成長様式を提案し、D_it低減のために望ましいプロセス条件を提案した。