[9a-N401-1~11] CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

9:45 〜 10:00

[9a-N401-4] SiC(0001)表面上のSiNエピタキシャル超薄膜

〇小野田 穣¹、安藤 寛²、Wolkow Robert³、Pitters Jason⁴、中川 剛志⁵、Viscovskiy Anton⁶、田中 悟⁶ (1.福岡教育大、2.光科学イノベーションセンター、3.アルバータ大、4.カナダ国立研究評議会、5.九大総理工、6.九大院工)

キーワード：

シリコン窒化膜、LEED、STM

我々は、をSiC(0001)表面上にエピタキシャル成長したSiN超薄膜を見出した。本講演では、SiN薄膜の作製法、低速電子回折(LEED)による表面構造解析、および、走査トンネル顕微鏡(STM)による原子分解能観察の結果を報告する。SiN表面では、最表面のSi原子のダングリングボンドがハニカム格子状に並んでいるため、グラフェンのような興味深い物性が期待できる。