講演情報
[9a-N406-5]汎用 RIE装置を用いたCOREシリコンエッチング技術の開発-マスク材の影響について-
〇青木 画奈1、赤羽 浩一1 (1.情報通信研究機構)
キーワード：
シリコン、ドライエッチング、BOSCH
シリコン深堀り技術は加速度センサ、アクチュエータなどのMEMS (Micro Electro Mechanical Systems）デバイスに欠かせない技術である。前回、デンマーク工科大(DTU)が開発した、BOSCH法におけるフルオロカーボン保護膜をSiO2に置き換えるCORE法を、汎用RIE装置で実施した場合に実現可能なシリコン加工形状について報告した。この際、エッチングマスクとして、フォトレジストのみを使用したため、最大エッチング深さは1.9 ミクロンに留まった。今回は、よりアスペクト比が高い構造を得るため、SiO2、Cr、SiO2/Crをエッチングマスクとして比較した。