[9a-P01-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[9a-P01-1] Arイオンエッチングを用いた水素化ダイヤモンドライクカーボン薄膜に対するsp²結合炭素濃度の深さ方向分析

〇春山 雄一¹、部家 彰²、住友 弘二²、伊藤 省吾²、四本 真央³、丸山 隆浩³ (1.兵県大高度研、2.兵県大工、3.名城大理工)

キーワード：

ダイヤモンドライクカーボン、光電子分光、深さ方向分析

Arイオンエッチングにより、表面を削りながら光電子分光測定を行い、原子状水素を照射した水素化DLC薄膜のsp²結合炭素濃度の深さ方向分析を行った。C 1s光電子スペクトルのArイオンエッチング照射時間依存性から、表面から内部になるにつれて、sp²結合炭素の濃度が増加することが示された。発表では、光電子分光やX線吸収分光および、ラマン分光の測定結果と比較しながら、sp2結合炭素濃度の深さ方向分析結果について議論する。