講演情報
[9a-P01-16]イオン注入法により埋め込み電極を形成した水素終端ダイヤモンドMOSFETの試作と特性評価
〇上原 さくら1、関 裕平2、星野 靖2、梅沢 仁3、金子 純一1 (1.北大院工、2.神奈川大理、3.産総研)
キーワード：
ダイヤモンド、電界効果トランジスタ、イオン注入
ダイヤモンドデジタル回路の高集積化に向け、イオン注入技術を用いたダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)の作製を試みた。p+領域の形成法としてイオン注入法とCVD法を用い、同一プロセス・寸法で作製した両試料のトランジスタ特性を比較した結果、イオン注入法を用いて形成したFETの最大ドレイン電流密度はCVD法を用いて形成したFETの約6.6倍となった。