講演情報
[9a-P01-17]縦型ダイヤモンドMOSFETを志向したトレンチ型側壁コンタクト構造
〇庄司 駿輔1,2、太田 康介1,2、大井 信敬1、渡邉 晃彦3、大村 一郎3、植田 研二2、川原田 洋1、藤嶌 辰也1 (1.Power Diamond Systems、2.早大、3.九工大)
キーワード：
半導体、ダイヤモンド
ダイヤモンドは高絶縁破壊電界強度や高熱伝導率を持つため、次世代パワーデバイス材料として注目されている。 本研究では、縦型水素終端ダイヤモンドMOSFETへの適用を目指し、トレンチ型側壁コンタクト構造を作製及びコンタクト抵抗の評価を行った。 評価結果として、トレンチ型側壁コンタクト構造でも良好なオーミックコンタクトが形成可能であることを確認した。