[9a-P01-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[9a-P01-2] 1 keV電子線を照射したアモルファス窒化炭素薄膜の二次電子放出に関する研究

〇青野 祐美¹、橋本 義徳²、東 明男³、佐藤 庸平⁴、寺内 正己⁴ (1.鹿児島大工、2.高エネ研、3.兵庫粒子線センター、4.東北大多元研)

キーワード：

窒化炭素、薄膜、スパッタ法

圧力勾配式反応性高周波（RF）マグネトロンスパッタ法で作製した窒素含有量の異なるアモルファス窒化炭素（a-CN_x）薄膜に1 keVの低エネルギー電子線を照射した際の二次電子収率（SEY）について調べた。