講演情報
[9a-P01-3]Si含有高水素化DLC膜の単色光軟X線による表面反応
〇神田 一浩1、三嶋 友博1、中西 康次1、赤坂 大樹2 (1.兵県大高度研、2.東科大工)
キーワード：
ダイヤモンドライクカーボン膜、選択励起、X線吸収分光法
Siを含有させた高水素化DLC膜(Si-H-DLC膜) にエネルギーの異なる単色化した軟X線をSi-H-DLC膜に照射し，照射した試料のC K端とSi K端の吸収端近傍微細構造（NEXAFS）の測定を行って，膜表面で起きる軟X線照射反応について議論した。C K殻電子やSi L殻電子の選択的な励起によりC-H結合が切断されることや、Siの酸化が非常に速い反応であることが見出された。