講演情報
[9a-P02-11]b軸配向したVO2薄膜の金属-絶縁体前後の価数・電子構造変化
〇江川 尚宏1、山田 泰聖1、在原 直哉1、志賀 大亮2、組頭 広志2、樋口 透1 (1.東理大・先進工、2.東北大多元研)
キーワード：
VO2薄膜、電子構造、金属ー絶縁体転移
RFマグネトロンスパッタ法によりAl2O3基板上に、b軸配向したVO2薄膜を作製し、構造・電気特性を評価した。作成したVO2薄膜は、340Kで大きな抵抗変化を伴う金属-絶縁体転移を示し、温度を変えて測定した軟X線分光スペクトルからも同様な結果が得られた。