[9a-P02-1~24] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9a-P02-8] ステップ&テラス処理SrTiO₃基板上へのMoO₃薄膜のMBE成長と構造評価

〇(M1)上林 優斗¹、鶴山 大翔¹、山本 勢那¹、広藤 裕一¹、廣芝 伸哉¹、小池 一歩¹ (1.大阪工大ナノ材研センタ)

キーワード：

三酸化モリブデン、分子線エピタキシー、SrTiO3

表面をステップ処理したSrTiO₃(100)基板上にMoO₃薄膜をMBE成長した。ステップ処理には純水で希釈したフッ酸とフッ化アンモニウムを混合させたエッチャントを用いた。基板温度250、300、350℃で成膜した薄膜に対してXRD測定を行ったところ、250℃、300℃ではb軸配向のβ相MoO₃薄膜が，350℃ではa軸配向のα相MoO₃薄膜が優先的に成長することがわかった。このことから、成長温度を変えることで結晶相を制御した成長が可能であることが示された。